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    臺積電正式披露了其最新3nm工藝的細節詳情

    Admin_LongAdmin_Long 評論 2020-05-19 23:32:44

    文章來源: 快科技

    近日,臺積電正式披露了其最新3nm工藝的細節詳情,其晶體管密度達到了破天荒的2.5億/mm²!

    臺積電3nm細節公布:2.5億晶體管/mm2 能耗性能大提升

    作為參考,采用臺積電7nm EUV工藝的麒麟990 5G尺寸113.31mm²,晶體管密度103億,平均下來是0.9億/mm²,3nm工藝晶體管密度是7nm的3.6倍。這個密度形象化比喻一下,就是將奔騰4處理器縮小到針頭大小。

    性能提升上,臺積電5nm較7nm性能提升15%,能耗比提升30%,而3nm較5nm性能提升7%,能耗比提升15%。

    此外臺積電還表示,3nm工藝研發符合預期,并沒有受到疫情影響,預計在2021年進入風險試產階段,2022年下半年量產。

    工藝上,臺積電評估多種選擇后認為現行的FinFET工藝在成本及能效上更佳,所以3nm首發依然會是FinFET晶體管技術。

    但臺積電老對手三星則押寶3nm節點翻身,所以進度及技術選擇都很激進,將會淘汰FinFET晶體管直接使用GAA環繞柵極晶體管。



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